71V35761S183BGI8和71V35761SA183BGI8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V35761S183BGI8 71V35761SA183BGI8

描述 IC SRAM 4.5Mbit 183MHz 119BGAIC SRAM 4.5Mbit 183MHz 119BGA

数据手册 --

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 119 119

封装 PBGA-119 PBGA-119

安装方式 - Surface Mount

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

存取时间 - 3.3 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃

电源电压(Max) - 3.465 V

电源电压(Min) - 3.135 V

长度 14.0 mm 14 mm

宽度 22.0 mm 22 mm

封装 PBGA-119 PBGA-119

厚度 2.15 mm 2.15 mm

高度 - 2.15 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

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