VQ1000J和VQ1004J

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VQ1000J VQ1004J VQ1004P

描述 MOSFET QD 60V 0.225APower Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,Power Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 60V, 3.5ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Supertex (超科)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 PDIP-14 PDIP -

封装 PDIP-14 PDIP -

长度 19.3 mm - -

宽度 7.11 mm - -

高度 5.08 mm - -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

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