对比图
型号 IXFH100N25P IXTT100N25P IXTQ100N25P
描述 N沟道 250V 100AIXTT 系列 单通道 N 沟道 250 V 27 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-268IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ100N25P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 100 A, 250 V, 27 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-3-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.027 Ω
极性 - - N-Channel
耗散功率 600W (Tc) 600 W 600 W
阈值电压 - - 5 V
输入电容 - - 6300 pF
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
连续漏极电流(Ids) - - 100 A
上升时间 26 ns 26 ns 26 ns
输入电容(Ciss) 6300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 600 W
下降时间 28 ns 28 ns 28 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 600W (Tc)
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15