对比图
型号 IXFN27N80Q IXFN39N90 IXFN26N90
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN27N80Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 27 A, 800 V, 320 mohm, 10 V, 4.5 VN沟道 900V 39AIXYS SEMICONDUCTOR IXFN26N90 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 900 V, 300 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Chassis Screw
引脚数 4 - 3
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
额定电压(DC) - - 900 V
额定电流 - - 26.0 A
针脚数 4 - 3
漏源极电阻 0.32 Ω - 300 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 520 W 694W (Tc) 600 W
阈值电压 4.5 V - 5 V
漏源极电压(Vds) 800 V 900 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 27.0 A 39A 26.0 A
上升时间 28 ns - 35 ns
隔离电压 2.50 kV - 2.50 kV
输入电容(Ciss) 7600pF @25V(Vds) 9200pF @25V(Vds) 10800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 520 W - 600 W
下降时间 13 ns - 24 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 520W (Tc) 694W (Tc) 600W (Tc)
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
长度 38.2 mm - -
宽度 25.07 mm - -
高度 9.6 mm - -
重量 40.0 g - 44.0 g
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15