对比图
型号 2N6299E3 JAN2N6298
描述 PNP Darlington Power Silicon TransistorPNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-66 TO-213
引脚数 3 -
击穿电压(集电极-发射极) - 60 V
最小电流放大倍数(hFE) - 750 @4A, 3V
额定功率(Max) - 64 W
耗散功率 64 W -
工作温度(Max) 175 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -
耗散功率(Max) 75000 mW -
封装 TO-66 TO-213
工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tray Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free