MT46H32M16LFBF-5:B和W949D6CBHX5E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT46H32M16LFBF-5:B W949D6CBHX5E MT46H32M16LFBF-6:B

描述 DDR DRAM, 32MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-60DDR DRAM, 32MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-60DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-60

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Winbond Electronics (华邦电子股份) Micron (镁光)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 - TFBGA-60 BGA

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 60

电源电压 1.8 V 1.7V ~ 1.95V 1.8 V

工作电压 1.80 V - 1.80 V

位数 - - 16

存取时间(Max) - - 6.5ns, 5ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

封装 - TFBGA-60 BGA

高度 - - 0.65 mm

工作温度 - -25℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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