STF40NF06和STP36NF06FP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STF40NF06 STP36NF06FP STF20NF06

描述 N沟道60V - 0.024ohm - 23A - TO- 220FP的STripFET II MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.024ohm - 23A - TO-220FP STripFET II MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP36NF06FP  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 40 mohm, 10 V, 4 VN沟道60V - 0.06ohm - 20A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.06ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 23.0 A - 20.0 A

漏源极电阻 28.0 mΩ 0.04 Ω 70.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 30 W 25 W 60 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V - 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 23.0 A 18.0 A 20.0 A

上升时间 11 ns 40 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 920pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 30 W 25 W 28 W

下降时间 11 ns 9 ns 5 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 30W (Tc) 25000 mW 28W (Tc)

额定功率 - 25 W -

通道数 1 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 4 V -

长度 10.4 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.6 mm

高度 9.3 mm 9.3 mm 9.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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