IRF1010E和IRF1010EPBF

对比图

型号 IRF1010E IRF1010EPBF RF-10

描述 TO-220AB N-CH 60V 84AINFINEON  IRF1010EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 VPower Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220 TO-220-3 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 84.0 A - -

漏源极电阻 12.0 mΩ 0.012 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 170 W 170 W -

产品系列 IRF1010E - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

漏源击穿电压 60.0 V 60 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 84.0 A 84A -

上升时间 78 ns 78 ns -

下降时间 53 ns 53 ns -

额定功率 - 170 W -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 3210pF @25V -

输入电容(Ciss) - 3210pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 200 W -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 200W (Tc) -

封装 TO-220 TO-220-3 -

长度 - 10.54 mm -

宽度 - 4.69 mm -

高度 - 8.77 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -