IPP60R190E6XKSA1和IPP60R190P6XKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP60R190E6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1

描述 INFINEON  IPP60R190E6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IPP60R190P6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 中高压MOS管中高压MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 151 W 151 W

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.17 Ω 0.171 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 151 W 151 W

阈值电压 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 20.2A 20.2A

上升时间 10 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 1400pF @100V(Vds) 1750pF @100V(Vds)

下降时间 8 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 151000 mW 151 W

输入电容 - 1750 pF

长度 10 mm 10.36 mm

宽度 4.4 mm 4.57 mm

高度 15.65 mm 15.95 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台