IRFP260MPBF和PSMN040-200W,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP260MPBF PSMN040-200W,127 IRFP260

描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。TO-247 N-CH 200V 50ATrans MOSFET N-CH 200V 46A 3Pin(3+Tab) TO-247AD

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 3 - 3

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 300 W 300W (Tc) 280 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 50A 50A -

输入电容(Ciss) 4057pF @25V(Vds) 9530pF @25V(Vds) 3900pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 280W (Tc)

额定功率 300 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.04 Ω - -

阈值电压 4 V - -

上升时间 60 ns - -

额定功率(Max) 300 W - -

下降时间 48 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 16.13 mm - -

宽度 5.2 mm - -

高度 21.1 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - - EAR99

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