对比图
型号 FR15 IXFR12N100Q IXFR10N100F
描述 Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PINISOPLUS N-CH 1000V 10AHiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole -
封装 - TO-247-3 -
通道数 - 1 -
极性 - N-CH -
耗散功率 - 250W (Tc) -
漏源极电压(Vds) - 1000 V -
连续漏极电流(Ids) - 10A -
输入电容(Ciss) - 2900pF @25V(Vds) -
耗散功率(Max) - 250W (Tc) -
宽度 - 5.21 mm -
封装 - TO-247-3 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Not Recommended Active
包装方式 - Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -