NTJD4001NT1G和NVTJD4001NT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTJD4001NT1G NVTJD4001NT1G NTJD4001NT2G

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTJD4001NT1G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 250 mA, 30 V, 1 ohm, 4 V, 1.2 VN沟道MOSFET,30V,250mA,1.5Ω0.25A,30V,双N沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70-6 SOT-363-6 TSSOP-6

引脚数 6 6 -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 33pF @5V(Vds) 33pF @5V(Vds) 33pF @5V(Vds)

额定功率(Max) 272 mW 272 mW 272 mW

耗散功率(Max) 2.72 W 272 mW 272 mW

针脚数 6 6 -

漏源极电阻 1 Ω 1 Ω -

耗散功率 272 mW 0.272 W -

阈值电压 1.2 V 1.2 V -

上升时间 23 ns 23 ns -

下降时间 82 ns 82 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 250 mA - -

极性 Dual N-Channel - -

输入电容 20pF @5V - -

漏源击穿电压 30 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 250 mA - -

封装 SC-70-6 SOT-363-6 TSSOP-6

长度 2.2 mm - -

宽度 1.35 mm - -

高度 1 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 - NLR -

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