IRF3711PBF和IRFZ14PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF3711PBF IRFZ14PBF STP90NF03L

描述 Trans MOSFET N-CH 20V 110A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube功率MOSFET Power MOSFETN沟道30V - 0.0056ohm - 90A TO- 220 / I2PAK低栅电荷STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0056ohm - 90A TO-220/I2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 20.0 V 60.0 V 30.0 V

额定电流 110 A 10.0 A 90.0 A

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 120 W 43 W 150 W

产品系列 IRF3711 - -

漏源极电压(Vds) 20 V 60 V 30 V

漏源击穿电压 20.0 V 60.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 110 A 10.0 A 90.0 A

上升时间 220 ns 50 ns 200 ns

输入电容(Ciss) 2980pF @10V(Vds) 300pF @25V(Vds) 2700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 43 W 150 W

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.2 Ω 6.5 mΩ

阈值电压 - 2 V -

下降时间 - 19 ns 105 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 43 W 150W (Tc)

通道数 - - 1

输入电容 - - 2700 pF

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.41 mm 10.4 mm

宽度 - 4.7 mm 4.6 mm

高度 - 9.01 mm 9.15 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台