对比图
型号 GS74116AGP-10I IS62WV25616BLL-55TLI IS61WV25616BLS-25TLI
描述 GSI TECHNOLOGY GS74116AGP-10I 芯片, 4MB ASYNCH芯片, SRAM 512K X 16, 10NSRAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-Bit 256K x 16 25ns 44Pin TSOP-II
数据手册 ---
制造商 GSI Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 44 44 44
封装 TSOP TSOP-44 TSOP-44
供电电流 115 mA - 25 mA
位数 - 16 16
存取时间 10 ns 55 ns 25 ns
存取时间(Max) 10 ns 55 ns 25 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V
电源电压(Max) - - 3.6 V
电源电压(Min) - - 2.4 V
电源电压(DC) 3.00V (min) 3.30 V, 3.60 V (max) -
工作电压 - 3.3 V -
内存容量 500000 B 500000 B -
针脚数 44 - -
封装 TSOP TSOP-44 TSOP-44
长度 - 18.52 mm -
宽度 - 10.29 mm -
高度 - 1.05 mm -
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/06/15 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - EAR99 EAR99