对比图
型号 BLX96 MS1512
描述 RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPNTrans RF BJT NPN 25V 1.2A 4Pin Case M-122
数据手册 --
制造商 Advanced Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管
引脚数 - 4
封装 - M-122
耗散功率 - 19400 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 25 V
增益 - 10 dB
额定功率(Max) - 19.4 W
工作温度(Max) - 200 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 19400 mW
高度 - 16.26 mm
封装 - M-122
材质 - Silicon
工作温度 - 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Bulk
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free