对比图
型号 IRGP4069PBF STGW60H65FB HGTG40N60B3
描述 单 IGBT 超过 21A，Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。HB 系列 650 V 60 A 高速 沟槽栅场截止 IGBT - TO-247FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG40N60B3 单晶体管, IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 - 3 3
耗散功率 368 W 375 W 290 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 650 V 600 V
额定功率(Max) 268 W 375 W 290 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 268 W 375000 mW 290000 mW
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 70.0 A
极性 - - N-Channel
额定功率 268 W - -
长度 15.87 mm 15.75 mm 15.87 mm
宽度 5.31 mm 5.15 mm 4.82 mm
高度 20.7 mm 20.15 mm 20.82 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99