W631GG6KB-12和W631GG6MB-12

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W631GG6KB-12 W631GG6MB-12 W631GG6KB-15

描述 DDR DRAM, 64MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-968M x 8 BANKS x 16Bit DDR3 SDRAM1-Gbit(64M x 16bit),工作电压:1.5V±0.075V

数据手册 ---

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 96 96 96

封装 TFBGA-96 VFBGA-96 TFBGA-96

工作电压 - - 1.425V ~ 1.575V

供电电流 280 mA - 240 mA

时钟频率 800 MHz - 667 MHz

位数 16 16 16

存取时间 20 ns - 20 ns

存取时间(Max) 0.225 ns - 0.255 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 95 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.425V ~ 1.575V - 1.425V ~ 1.575V

封装 TFBGA-96 VFBGA-96 TFBGA-96

工作温度 0℃ ~ 85℃ - 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR NLR NLR

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