199D226X9003B1V1E3和199D226X9003B2B1E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D226X9003B1V1E3 199D226X9003B2B1E3 199D226X0003B1V1E3

描述 CAP TANT 22uF 3V 10% RADIALCap Tant Solid 22uF 3V 10% (5 X 7.62mm) Radial 2.54mm 125℃ T/RCAP TANT 22uF 3V 20% RADIAL

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 电容钽电容电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

电容 22.0 µF 22 µF 22.0 µF

容差 ±10 % ±10 % ±20 %

额定电压 3 V 3 V 3 V

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台