TLP109(IGM-TPR,E)和TLP109(IGM-TPL,E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLP109(IGM-TPR,E) TLP109(IGM-TPL,E TLP109(IGM,E)

描述 Optocoupler DC-IN 1CH Transistor With Base DC-OUT 5Pin SO T/R高速光耦合器 Pwr Supply 30V 125 degC 3750 Vrms高速光耦合器 Photo-IC -0.5 to 30V 3750 Vrms 800ns

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)

分类 光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 5 5

封装 SO-6 SO-6 SO-6

正向电压 1.64 V 1.64 V 1.64 V

隔离电压 3750 Vrms 3750 Vrms 3750 Vrms

正向电流 20 mA 20 mA 20 mA

输出电压(Max) 20 V 20 V 20 V

输入电流(Min) 20 mA - -

通道数 - 1 1

耗散功率 - 40 mW 100 mW

正向电压(Max) - 1.85 V 1.85 V

正向电流(Max) - 20 mA 20 mA

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 100 mW 100 mW

封装 SO-6 SO-6 SO-6

高度 - - 2.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Unknown Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free 无铅 PB free

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