DS2-12A和DSA1-12D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS2-12A DSA1-12D DS1-12D

描述 Diode 1.2kV 3.6A 2PinDIODE AVALANCHE 1200V 2.3A 2SIPDIODE STD 1200V 2.3A SIP

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 -

封装 DO-13-2 Radial Radial

正向电压 1.25V @7A 1.34V @7A 1.3V @7A

正向电压(Max) 1.25V @7A 1.34V @7A 1.3V @7A

工作温度(Max) 180 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

封装 DO-13-2 Radial Radial

产品生命周期 End of Life Active Obsolete

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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