对比图
型号 HY5117404CJ-60 IS41C44002-60J KM44C4104CK-6
描述 EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/245V 4M x 4(16Mbit) dynamic RAM with edo page modeEDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
数据手册 ---
制造商 SK Hynix (海力士) Integrated Silicon Solution(ISSI) Samsung (三星)
分类 RAM芯片RAM芯片
封装 SOJ SOJ -
封装 SOJ SOJ -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
RoHS标准 - - RoHS Compliant