对比图
描述 N沟道的TrenchMOS ？逻辑电平FET N-channel TrenchMOS?? logic level FETTrans MOSFET N-CH 30V 98A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/R
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 5
封装 SOT-669 Power-SO8
漏源极电阻 0.004 Ω -
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 62.5 W 62.5 W
阈值电压 1.5 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 98.0 A 98.0 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
上升时间 - 88 ns
输入电容(Ciss) - 3190pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - 62.5 W
下降时间 - 57 ns
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 62.5W (Tc)
封装 SOT-669 Power-SO8
长度 - 5 mm
宽度 - 4.1 mm
高度 - 1.1 mm
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)