1N5802US和JANS1N5802US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5802US JANS1N5802US RS1AE3

描述 Rectifier Diode,整流器效率高, ESP , 2.5安培至20 AMP RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMPRectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CLIP SMA, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 EIC Microsemi (美高森美) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 功率二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 2 2 -

封装 DO-41 D-5A-2 -

反向恢复时间 - 25 ns -

正向电流(Max) - 2.5 A -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-41 D-5A-2 -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

军工级 - Yes -

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