对比图
型号 IXTQ170N10P IXTT170N10P IXTK170N10P
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ170N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 170 A, 100 V, 9 mohm, 15 V, 5 VTO-268 N-CH 100V 170ATO-264 N-CH 100V 170A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3-3 TO-268-3 TO-264-3
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 714 W 715 W 715W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 170 A 170A 170A
上升时间 50 ns 50 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 6000pF @25V(Vds) 6000pF @25V(Vds) 6000pF @25V(Vds)
下降时间 33 ns 33 ns 33 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 715W (Tc) 715W (Tc) 715W (Tc)
针脚数 3 - -
漏源极电阻 9 mΩ - -
阈值电压 5 V - -
反向恢复时间 120 ns - -
通道数 - 1 -
封装 TO-3-3 TO-268-3 TO-264-3
长度 15.8 mm - -
宽度 4.9 mm 14 mm -
高度 20.3 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -