BSP149和BSP149H6327XTSA1

对比图

型号 BSP149 BSP149H6327XTSA1 149H

描述 INFINEON  BSP149  晶体管, MOSFET, N沟道, 480 mA, 200 V, 3.5 ohm, 10 V, -1.4 VBSP149 系列 200 V 3.5 Ohm N沟道 SIPMOS® 小信号 晶体管-PG-SOT-223Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 4 4 -

封装 SOT-223 TO-261-4 -

针脚数 4 4 -

漏源极电阻 3.5 Ω 1 Ω -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 1.8 W 1.8 W -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 480 mA 0.66A -

上升时间 3.4 ns 3.4 ns -

输入电容(Ciss) 326pF @25V(Vds) 430pF @25V(Vds) -

下降时间 3.4 ns 21 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 1.8 W 1.8W (Ta) -

额定功率 - 1.8 W -

通道数 - 1 -

阈值电压 - 1.4 V -

额定功率(Max) - 1.8 W -

长度 6.5 mm 6.5 mm -

宽度 3.5 mm 3.5 mm -

高度 1.6 mm 1.6 mm -

封装 SOT-223 TO-261-4 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -