GS8662Q18BGD-300和GS8672Q18BGE-300

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS8662Q18BGD-300 GS8672Q18BGE-300 GS8672Q18BGE-300T

描述 QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165Pin FBGAStandard SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

数据手册 ---

制造商 GSI GSI GSI

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 LBGA LBGA LBGA

封装 LBGA LBGA LBGA

工作温度 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

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