BCW33和BCW65CLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW33 BCW65CLT1G BCW33LT1G

描述 NPN通用放大器 NPN General Purpose AmplifierON SEMICONDUCTOR  BCW65CLT1G  单晶体管 双极, AEC-Q100, NPN, 32 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 100 hFE 新ON SEMICONDUCTOR  BCW33LT1G  单晶体管 双极, NPN, 32 V, 300 mW, 100 mA, 420 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 200 MHz 100 MHz -

额定电压(DC) 32.0 V 32.0 V 32.0 V

额定电流 500 mA 800 mA 100 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.35 W 225 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 32 V

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 250 @100mA, 1V 420 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 800 - 800

额定功率(Max) 350 mW 225 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

针脚数 - 3 3

集电极最大允许电流 - 0.8A 0.1A

直流电流增益(hFE) - 100 420

耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW

长度 2.92 mm 3.04 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.4 mm 1.3 mm

高度 0.93 mm 1.11 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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