对比图
型号 IXFN44N50 IXFN80N50 STE70NM50
描述 N沟道 VDS=500V VGS=±20V ID=44AIXYS SEMICONDUCTOR IXFN80N50 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 80 A, 500 V, 55 mohm, 10 V, 4.5 VSTMICROELECTRONICS STE70NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Screw Screw
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP-4
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 44.0 A 80.0 A 70.0 A
通道数 1 1 -
针脚数 - 4 4
漏源极电阻 120 mΩ 0.055 Ω 45 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 520 W 780 W 600 W
阈值电压 - 4.5 V 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 44.0 A 80.0 A 30.0 A
上升时间 60 ns 70 ns 58 ns
输入电容(Ciss) 8400pF @25V(Vds) 9890pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 520 W 780 W 600 W
下降时间 30 ns 27 ns 46 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
工作结温(Max) - 150 ℃ -
耗散功率(Max) 520W (Tc) 700W (Tc) 600W (Tc)
额定功率 - - 600 W
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
长度 38.23 mm 38.23 mm 38.2 mm
宽度 25.42 mm 25.42 mm 25.5 mm
高度 9.6 mm 9.6 mm 9.1 mm
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 ISOTOP-4
材质 - Silicon -
重量 - 0.000036 kg -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99