IXFT30N60P和IXFV30N60PS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFT30N60P IXFV30N60PS IXTV30N60P

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3Pin(2+Tab) TO-268Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMDTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-268-3 PLUS-220-SMD-3 TO-247-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 30.0 A 30.0 A 30.0 A

通道数 1 - 1

漏源极电阻 240 mΩ 240 mΩ 240 mΩ

耗散功率 500 W 500 W 540 W

输入电容 4.00 nF 4.00 nF 5.05 nF

栅电荷 82.0 nC 82.0 nC 82.0 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 30.0 A

上升时间 20 ns 20 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 4000pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds) 5050pF @25V(Vds)

下降时间 25 ns 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 500W (Tc) 500W (Tc) 540W (Tc)

极性 N-Channel N-Channel -

长度 16.05 mm 11 mm 11 mm

宽度 14 mm 15 mm 4.7 mm

高度 5.1 mm 4.7 mm 15 mm

封装 TO-268-3 PLUS-220-SMD-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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