APT10050LVRG和IXFN21N100Q

对比图

型号 APT10050LVRG IXFN21N100Q APT10050JN

描述 TO-264 N-CH 1000V 21ASOT-227B N-CH 1000V 21ASOT-227 N-CH 1000V 20.5A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount -

引脚数 3 4 -

封装 TO-264 SOT-227-4 SOT-227

额定电压(DC) 1.00 kV - -

额定电流 21.0 A - -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 520 W 520 W -

输入电容 7.90 nF - -

栅电荷 500 nC - -

漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1000 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) 21.0 A 21A 20.5A

上升时间 13 ns 18 ns -

输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 5900pF @25V(Vds) -

下降时间 8 ns 12 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 520000 mW 520W (Tc) -

额定功率(Max) - 520 W -

封装 TO-264 SOT-227-4 SOT-227

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -