对比图
描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP HighCt HighVTRANS PNP 300V 1A MED E-LINESIP PNP 230V 1A
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Toshiba (东芝)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
封装 TO-261-4 E-Line-3 SIP
安装方式 Surface Mount Through Hole -
引脚数 - 3 -
极性 PNP PNP PNP
击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 230 V
集电极最大允许电流 1A 1A 1A
额定电压(DC) -300 V -300 V -
额定电流 -1.00 A -1.00 A -
最小电流放大倍数(hFE) 100 @500mA, 10V 100 @500mA, 10V -
额定功率(Max) 3 W 1.2 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 1200 mW -
耗散功率 3 W - -
最大电流放大倍数(hFE) 100 - -
封装 TO-261-4 E-Line-3 SIP
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape, Tape & Reel (TR) Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -