CYD36S36V18-133BBXI和CYD36S36V18-167BGXC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CYD36S36V18-133BBXI CYD36S36V18-167BGXC CYD36S36V18-167BGXI

描述 IC SRAM 36Mbit 133MHz 256FBGAFullFlex SDR同步双端口SRAM商用和工业温度 FullFlex Synchronous SDR Dual Port SRAM Commercial and Industrial temperatureFullFlex SDR同步双端口SRAM商用和工业温度 FullFlex Synchronous SDR Dual Port SRAM Commercial and Industrial temperature

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 484 484

封装 LBGA-256 BGA-484 BGA-484

位数 - 36 36

存取时间 133 µs - 4 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) - - 1.9 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

电源电压 - 1.8 V -

电源电压(DC) 1.80 V - -

时钟频率 133MHz (max) - -

内存容量 36000000 B - -

封装 LBGA-256 BGA-484 BGA-484

高度 - 1.83 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray, Bulk Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 - - 3A991.b.2.b

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