MT47H128M8CF-25E:H TR和MT47H128M8SH-25E:M

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT47H128M8CF-25E:H TR MT47H128M8SH-25E:M

描述 DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60Pin FBGA T/RMT47H128M8SH-25E:M 编带

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 60 60

封装 TFBGA-60 FBGA-60

供电电流 125 mA 120 mA

时钟频率 - 400 MHz

位数 8 8

存取时间 - 400 ps

存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

封装 TFBGA-60 FBGA-60

工作温度 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99

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