BLF369和BLF369,112

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF369 BLF369,112

描述 多用甚高频功率LDMOS transistornull Multi-use VHF power LDMOS transistornullTrans RF MOSFET N-CH 65V 5Pin LDMOST Bulk

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw

引脚数 - 5

封装 - LDMOST

输出功率 - 500 W

输入电容(Ciss) - 400pF @32V(Vds)

工作温度(Max) - 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

电源电压(DC) 32.0 V -

额定电压(DC) 32.0 V -

额定电流 600 mA -

漏源极电压(Vds) 32.0 V -

增益 20.0 dB -

封装 - LDMOST

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -

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