D8-10和FESF8BTHE3/45

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 D8-10 FESF8BTHE3/45 FESF8BT-E3/45

描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, SMS, 2 PINRectifiers 8A 100V 35ns 125A IFSM整流器 100 Volt 8.0A 35ns Single

数据手册 ---

制造商 Solid State Devices Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-220-2 TO-220-2

正向电压 - 950mV @8A 950mV @8A

反向恢复时间 - 35 ns 35 ns

正向电流 - 8 A -

正向电压(Max) - 950mV @8A 950mV @8A

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

长度 - 10.26 mm 10.26 mm

宽度 - 4.83 mm 4.83 mm

高度 - 8.89 mm 8.89 mm

封装 - TO-220-2 TO-220-2

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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