70V657S10BC和70V657S10DRG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V657S10BC 70V657S10DRG 70V657S10BFG

描述 静态随机存取存储器 32Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAMIC SRAM 1.125Mbit 10NS 208QFPSRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 10ns 208Pin CABGA Tray

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 256 208 208

封装 CABGA-256 BFQFP-208 LFBGA-208

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

存取时间 10 ns - 10 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

电源电压(Max) - - 3.45 V

电源电压(Min) - - 3.15 V

长度 17 mm 28.0 mm 15.0 mm

宽度 17 mm 28.0 mm 15 mm

高度 1.4 mm - -

封装 CABGA-256 BFQFP-208 LFBGA-208

厚度 1.40 mm 3.50 mm 1.40 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -

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