TLV342AID和TLV342AIDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV342AID TLV342AIDR TLV342AIDRE4

描述 低电压轨到轨输出CMOS运算放大器,带有关断 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN低电压轨到轨输出CMOS运算放大器,带有关断 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN低电压轨到轨输出CMOS运算放大器,带有关断 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

通道数 2 2 2

输入补偿漂移 1.90 µV/K 1.90 µV/K 1.90 µV/K

带宽 2.20 MHz 2.20 MHz 2.20 MHz

转换速率 900 mV/μs 900 mV/μs 900 mV/μs

增益频宽积 2.3 MHz 2.3 MHz 2.20 MHz

供电电流 75 µA 75 µA -

电路数 2 2 -

共模抑制比 75 dB 75 dB -

输入补偿电压 300 µV 300 µV -

输入偏置电流 1 pA 1 pA -

工作温度(Max) - 125 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

增益带宽 2.3 MHz 2.3 MHz -

共模抑制比(Min) 75 dB 75 dB -

电源电压 1.5V ~ 5.5V 1.5V ~ 5.5V -

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 1.5 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

宽度 3.91 mm - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -

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