IXFN44N50U3和IXFN48N50U2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFN44N50U3 IXFN48N50U2 IXFN48N50U3

描述 SOT-227B N-CH 500V 44ATrans MOSFET N-CH 500V 48A 4Pin SOT-227BSOT-227B N-CH 500V 48A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Chassis Chassis Chassis

引脚数 - 4 -

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

耗散功率 520W (Tc) 520W (Tc) 520 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

上升时间 - 60 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 8400pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 520 W 520 W 520 W

下降时间 - 30 ns 30 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 40 ℃

耗散功率(Max) 520W (Tc) 520W (Tc) 520W (Tc)

极性 N-CH - N-CH

连续漏极电流(Ids) 44A - 48A

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 100 mΩ

漏源击穿电压 - - 500 V

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

长度 - - 38.2 mm

宽度 - - 25.07 mm

高度 - - 9.6 mm

材质 - Silicon -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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