BQ4013YMA-85和BQ4013YMA-85N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ4013YMA-85 BQ4013YMA-85N DS1245AB-85+

描述 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAMIC NVSRAM 1024Kbit 85NS 32DIP

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

引脚数 32 32 -

工作电压 - - 5 V

存取时间 85.0 ns 85 ns 85 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V -

供电电流 50 mA 50 mA -

存取时间(Max) 85 ns 85 ns -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

时钟频率 85.0 GHz - -

内存容量 1000000 B - -

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

长度 - 42.8 mm -

宽度 - 18.42 mm -

高度 - 9.4 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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