CY7C199N-35PXC和IDT71256L35P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C199N-35PXC IDT71256L35P 71256L35TDB

描述 32K x 8静态RAM 32K x 8 Static RAMCMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)SRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 35ns 28Pin CDIP Tube

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 28 - 28

封装 DIP DIP CDIP

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压 5 V - -

高度 3.55 mm - -

封装 DIP DIP CDIP

长度 - - 37.7 mm

宽度 - - 7.62 mm

厚度 - - 3.56 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant - Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 -

工作温度 - - -55℃ ~ 125℃

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