RMLV0414EGSB-4S2#AA1和RMLV0414EGSB-4S2#AA0

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RMLV0414EGSB-4S2#AA1 RMLV0414EGSB-4S2#AA0

描述 SRAM 256K x 16 45ns 3V TSOP44SRAM,RMLV 系列,Renesas ElectronicsRMLV 系列高性能高级静态 RAM 实现了更高的密度、低电流消耗,还提供低功率待机功耗。单 2.7V 至 3.6V 电源 存取时间:45ns(最大值) 相等存取和循环时间 常见数据输入和输出,带三态输出 所有输入和输出均兼容 TTL 适合于电池备份操作 ### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 --

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 44 44

封装 TSOP-44 TSOP-44

安装方式 - Surface Mount

位数 16 16

存取时间(Max) 45 ns 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

时钟频率 - 1 MHz

封装 TSOP-44 TSOP-44

长度 - 18.51 mm

宽度 - 10.26 mm

高度 - 1 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - 3A991

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