JANTX2N6287和JANTXV2N6287

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N6287 JANTXV2N6287 2N6287

描述 PNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORDIODESTMICROELECTRONICS  2N6287  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 160 W, -20 A, 750 hFE

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) M/A-Com ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 2

封装 TO-3 TO-204 TO-3

耗散功率 175 W - 160 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 1250 @10A, 3V 1000 @6A, 3V 750 @10A, 3V

额定功率(Max) 175 W 175 W 160 W

工作温度(Max) 175 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 175000 mW - 160000 mW

额定电压(DC) - - -100 V

额定电流 - - -20.0 A

针脚数 - - 2

极性 - - PNP, P-Channel

直流电流增益(hFE) - - 750

封装 TO-3 TO-204 TO-3

宽度 - - 26.2 mm

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray Bulk Bag

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

军工级 Yes - -

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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