对比图
型号 DB105 DB105G
描述 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, DB, 4 PINGENESIC SEMICONDUCTOR DB105G Bridge Rectifier Diode, Single, 600V, 1A, DIP, 1.1V, 4Pins
数据手册 --
制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) GeneSiC Semiconductor
分类 二极管
安装方式 - Through Hole
引脚数 - 4
封装 - EDIP-4
正向电压 - 1.1V @1A
正向电流 - 1 A
正向电压(Max) - 1.1 V
正向电流(Max) - 1 A
工作温度(Max) - 150 ℃
封装 - EDIP-4
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17