FJC1963和FJC1963STF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJC1963 FJC1963STF FJC1963R

描述 NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon TransistorTrans GP BJT NPN 30V 3A 4Pin(3+Tab) SOT-89 T/RSmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-89 SOT-89-3 -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

集电极最大允许电流 3A 3A -

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 3.00 A -

耗散功率 - 0.5 W -

最小电流放大倍数(hFE) - 280 @500mA, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) - 560 -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

封装 SOT-89 SOT-89-3 -

长度 - 4.7 mm -

宽度 - 2.7 mm -

高度 - 1.7 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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