IRL2910S和IRL2910STRRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL2910S IRL2910STRRPBF IRL2910STRLPBF

描述 D2PAK N-CH 100V 55AD2PAK N-CH 100V 55AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263 D2PAK-263 TO-263-3

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 55.0 A - -

极性 N-CH N-CH N-Channel

产品系列 IRL2910S - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 55.0 A 55A 55A

上升时间 100 ns 100 ns 100 ns

输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds)

下降时间 55 ns 55 ns 55 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3800 mW 3800 mW 3.8W (Ta), 200W (Tc)

耗散功率 - 3.8 W 3.8 W

额定功率 - - 3.8 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.026 Ω

阈值电压 - - 2 V

额定功率(Max) - - 3.8 W

封装 TO-263 D2PAK-263 TO-263-3

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 9.65 mm

高度 - - 4.83 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

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