IXFH12N80P和IXFV12N80PS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH12N80P IXFV12N80PS IXFQ12N80P

描述 Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3Pin(3+Tab) TO-247Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMDTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3Pin(3+Tab) TO-3P

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-247-3 PLUS-220 TO-3-3

漏源极电阻 850 mΩ 850 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 360W (Tc) 360 W 360W (Tc)

阈值电压 - 5 V -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12.0 A -

反向恢复时间 - 250 ns -

输入电容(Ciss) 2800pF @25V(Vds) 2800pF @25V(Vds) 2800pF @25V(Vds)

工作温度(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)

通道数 1 - -

封装 TO-247-3 PLUS-220 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

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