对比图
型号 IPP039N04LG IPP039N04LGXKSA1
描述 40V,80A,N沟道功率MOSFETInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP039N04LGXKSA1, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
封装 TO-220-3-123 TO-220-3
安装方式 - Through Hole
引脚数 - 3
上升时间 5.4 ns 5.4 ns
下降时间 6 ns 6 ns
额定功率 - 94 W
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.0031 Ω
极性 - N-Channel
耗散功率 - 94 W
阈值电压 - 1.2 V
漏源极电压(Vds) - 40 V
连续漏极电流(Ids) - 80A
输入电容(Ciss) - 6100pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 94 W
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 94W (Tc)
封装 TO-220-3-123 TO-220-3
长度 - 10 mm
宽度 - 4.4 mm
高度 - 15.65 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17