对比图
描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.38INCH, PLASTIC, M135, 4Pin射频与微波晶体管VHF移动应用程序 RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS射频线NPN硅功率晶体管100W ， 30-200MHz ， 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 100W, 30-200MHz, 28V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount Chassis
引脚数 4 4 4
封装 M135 M-135 316-01
耗散功率 30 W 70 W 270 W
击穿电压(集电极-发射极) - 16 V 35 V
增益 8.2 dB 10 dB 10 dB
最小电流放大倍数(hFE) - 20 @250mA, 5V 10 @5A, 5V
额定功率(Max) - 70 W 100 W
额定电压(DC) - 36.0 V -
额定电流 - 8.00 A -
最大电流放大倍数(hFE) - 20 @250mA, 5V -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 30000 mW 70000 mW -
频率 175 MHz - -
封装 M135 M-135 316-01
长度 - 9.78 mm -
宽度 - 9.78 mm -
高度 19.05 mm 19.05 mm -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Bulk Bulk Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
材质 - Silicon -
工作温度 - 200℃ (TJ) -