IS62WV1288DBLL-45HLI和IS62WV1288DBLL-45HLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS62WV1288DBLL-45HLI IS62WV1288DBLL-45HLI-TR IS65WV1288DBLL-45TLA3

描述 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)静态随机存取存储器 1M (128Kx8) 45ns Async 静态随机存取存储器SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-bit 128K x 8 45ns Automotive 32Pin TSOP-I

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 32 32 32

封装 TFSOP-32 TFSOP-32 TSOP-32

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

位数 8 8 8

存取时间(Max) 45 ns 45 ns 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 3.6V 2.3V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V

存取时间 45 ns 45 ns -

电源电压(DC) 2.30V (min) - -

供电电流 8 mA - -

内存容量 125000 B - -

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.3 V - -

封装 TFSOP-32 TFSOP-32 TSOP-32

长度 18.5 mm - -

宽度 8.2 mm - -

高度 1.05 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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