BZX55B8V2-TR和BZX55F8V2-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX55B8V2-TR BZX55F8V2-TR BZX55B8V2-TP

描述 500mW,BZX55B 系列,Vishay Semiconductor### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorDiode Zener Single 8.2V 3% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 T/RZener Diode, 8.2V V(Z), 2%, 0.5W(1/2W), Silicon, Unidirectional, DO-35, GLASS PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Micro Commercial Components (美微科)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 - -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

耗散功率 500 mW - -

测试电流 5 mA - -

稳压值 8.2 V 8.2 V -

正向电压(Max) 1.5 V - -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 500 mW - -

容差 - ±1 % -

正向电压 - 1.5V @200mA -

长度 3.9 mm - -

宽度 1.7 mm - -

高度 1.7 mm - -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

工作温度 175 ℃ 175 ℃ -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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